在此类设备中掺入III-V化合物半导体，电网电设等供Si和2D材料等材料不仅可以应用于有源矩阵显示器，还可以应用于需要组装不同半导体的光学和生物传感器。

电子显微镜表征以及原位XAS和拉曼光谱表明，年3能力在结构重建过程中，年3能力超微粒内部的构件融合产生大量Cu晶界，而外壳中的构件分离形成纳米间隙结构，可以有效地限制OH-，以维持较高的局部pH值。上应商（b）相应的FT-EXAFS光谱。

输变设备（c）三种催化剂在-1.15VvsHE下的C2+/C1法拉第效率（FE）比。该工作为开发先进的电催化剂提供了基于超微粒的新途径，备信同时也强调了合理控制催化剂前结构对催化活性位点设计的重要性。息化文献链接：StructuralReconstructionofCu2OSuperparticlestowardElectrocatalyticCO2ReductionwithHighC2+ProductsSelectivity.Adv.Sci.,2022,DOI:10.1002/advs.202105292.本文由CQR编译。

Cu2O超微粒衍生催化剂对乙烯和C2+产物的法拉第效率（FE）分别为53.2%和74.2%，资质超过了大多数报道的Cu电催化剂的性能。核实（f）Cu2O超微粒-CP3在-40mAcm-2下的稳定性测试。

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年3能力（e-g）Cu2O超微粒-CP3中大的Cu聚集体的TEM和HRTEM图像。大量研究已经表明，上应商基于SnSe/SnS的柔性器件在经历数百次弯折后，依然可以保持优异的性能。

尽管，输变设备LIBs已经占据了很大的市场份额，但低成本的SIBs有着更大的发展前景。随着理论计算和实验的深入研究，备信SnSe/SnS体系在更多的应用潜能也得以挖掘和验证。

2011年，息化拓扑晶体绝缘体（TCI）的概念首次被提出。二维SnSe/SnS由于比表面积大，资质可以有效地解决上述问题。